单晶硅：dānjīngguī　基本解释：[monocrystallinesilicon]硅的一种,是重要的半导体材料●详细解释：◎单晶硅dānjīngguī[monocrystallinesilicon]硅的一种,是重要的半导体材料

1、本文研究用脉冲激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅、 k9玻璃等衬底上生长超硬非晶碳膜。为了同单晶硅太阳能电池竞争，薄膜型光电池必须在性能方面与之相当，成本应该更低。

2、其原因可能是单晶硅表面原子排列非常整齐，具有高度光滑和均匀的表面条件。

3、单晶硅太阳能电池组件和多晶硅太阳能电池组件，转换效率高达18 % 。

4、研究结果表明，通过离子交换和带电基团的静电吸附作用，聚合物聚合物、聚合物有机分子、聚合物金纳米粒子、聚合物无机纳米粒子的复合薄膜可以组装到单晶硅、玻璃、石英玻璃光纤等各种类型的衬底上。

5、本文研究了用igc (惰性气体蒸发凝聚原位温压法)制备并真空退火到不同晶粒尺寸的纳米晶铜和微米晶铜(冷轧紫铜、电解铜)在酸性硫酸铜溶液和中性含氯溶液中，在自腐蚀状态和阳极极化状态下的腐蚀性能。使用了动电势极化、电位测定、循环伏安法( cv )和电化学阻抗谱( eis )等方法。 x -射线衍射( xrd )的方法用来估算纳米晶铜晶粒尺寸。按照改进的工艺参数，在单晶硅衬底上溅射-淀积了tini薄膜，并进行了超高真空退火， dsc法测得其马氏体逆相变峰值温度为72 ，利

6、单晶硅材料是当代电子工业中应用最多的半导体材料,它在航空航天、光学、电子和微电子等领域发挥着十分重要的作用。

7、单晶硅电池价格比较昂贵，因此也就促使其替代品的发展，如下文所述。

8、利用离子注入技术，对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究。

9、超长单晶硅纳米丝的化学气相沉积法制备

10、掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的研究进展

11、方形虚线区为固态传感器的压力承受区，也是传感器的核心部分，它采用光刻技术在单晶硅膜片上制成四个等值电阻，并组成平衡全桥。

12、应用工程设计学基本原理，设计一种简易的超低速下降设备，应用于单晶硅拉伸。

13、但是在室温下单晶硅材料是脆性材料,它的断裂韧性很低,受到很小的载荷就有可能出现裂纹和发生断裂,因此加工十分困难。

14、参观者可转动光伏板的手柄来比较单晶硅、多晶硅和非晶硅光伏板的效能。

15、本文的工作是利用mems技术在单晶硅上制作集成pcr芯片。

16、电子元器件用质量评估协调体系规范.空白详细规范. mos紫外线光可抹式可编程序只读存贮器单晶硅电路

17、电子元器件用质量评估协调体系规范.空白详细规范:熔丝连接可编程只读存贮器单晶硅集成电路

18、当基体为单晶硅、催化剂镍膜厚度为20nm 、氨气气氛、生长温度为850时，得到了定向生长的纳米碳管。其原因可能是850时氨气分解的氢原子和无定形炭生成了易挥发物质，从而保持催化剂的活性使纳米碳管依靠相邻碳管之间的斥力定向生长。

19、聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度浓度分布的研究

20、采用单面抛光的n型单晶硅片，晶面为( 111 ) ，电阻率为3 ? cm - 5 ? cm和80 ? cm ? 100 ? cm ，经过阳极氧化制得的多孔硅在紫外灯下发红橙光或红光。

21、微重力下单晶硅生长中热毛细对流的控制研究

22、本文采用p型单晶硅片，由热氧化形成sio _ 2掩膜层，标准光刻工艺进行图形转移，用koh溶液湿法刻蚀制作倒四棱锥腐蚀坑列阵。

23、单晶硅厂工艺设计规范

24、该项目于2007年9月28日开工建设，目前一期项目单晶硅车间1-9轴一层结构已完成，二层结构正进行钢筋、模板的加工制作安装，9-13轴二层结构已完成，单晶硅车间一层墙体已砌筑粉刷完毕，现已进入贴面砖的工程施工，整个单晶硅车间工程预计8月20日前完成竣工验收。植物的活

25、由于线锯切割具有切片薄、表面翘曲变形小、厚薄均匀和切口损失小等优点，被广泛用于单晶硅切片加工。

26、单晶硅是间接带隙半导体材料，它的带隙宽度eg = 1 . 1ev ，作为发光器件材料在光电子领域中的应用受到一定限制。

27、为了同单晶硅太阳能电池竞争，薄膜型光电池必须在性能方面与之相当，成本应该更低。

28、单晶硅太阳能电池因其电转化率高，制造工艺成熟，可靠性好而首先被用于航天领域。

29、实验以硅烷和氧化二氮作为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积( pecvd )技术，在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。

30、1单晶硅或多晶硅太阳能电池板

31、第二章讲述了单晶硅的破坏强度问题，并用微力微位移天平方法进行研究。

32、用于表面声波装置的单晶硅片.规范和测量方法